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Vishay |
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MOSFET |
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RoHS:: |
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Si |
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Through Hole |
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TO-220-3 |
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N-Channel |
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1 Channel |
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200 V |
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3.3 A |
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1.5 Ohms |
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- 20 V, + 20 V |
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2 V |
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8.2 nC |
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- 55 C |
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+ 150 C |
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36 W |
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Enhancement |
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Tube |
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Configurazione: |
Single |
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Serie: |
IRF |
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Tipo di transistor: |
1 N-Channel |
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Marchio: |
Vishay Semiconductors |
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Transconduttanza diretta - Min: |
0.8 S |
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Tempo di caduta: |
8.9 ns |
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Tipo di prodotto: |
MOSFET |
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Tempo di salita: |
17 ns |
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1000 |
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Sottocategoria: |
MOSFETs |
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Ritardo di spegnimento tipico: |
14 ns |
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Tipico ritardo di accensione: |
8.2 ns |
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