MOSFET dual- P - Channel SI4948BEY

Package: SO-8
Numero di canali: 2
Polarità transistor: P-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source: 60 V
Id - corrente di drain continua: 3.1 A
Rds On - Drain-source: 120 mOhms
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1 V 
Vgs - Tensione gate-source: 10 V
Qg - Carica del gate: 14.5 nC
Temperatura di lavoro minima: - 55 C
Temperatura di lavoro massima: + 175 C
Pd - Dissipazione di potenza: 2.4 W
Configurazione: Dual